PNY MN16GK2D42666 módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4 2666 MHz
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    PNY MN16GK2D42666 módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4 2666 MHz

    PNY MN16GK2D42666, 16 GB, 2 x 8 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM

    MN16GK2D42666
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    PNY MN16GK2D42666. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19
    Características
    Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
    Memoria interna16 GB
    Diseño de memoria (módulos x tamaño)2 x 8 GB
    Tipo de memoria internaDDR4
    Velocidad de memoria del reloj2666 MHz
    Componente paraPortátil
    Forma de factor de memoria260-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Latencia CAS19
    Canales de memoriaDoble canal
    Voltaje de memoria1.2 V
    Intel® Extreme Memory Profile (XMP)No
    Datos logísticos
    Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
    Memoria interna
    16 GB
    Tipo de memoria interna
    DDR4
    Velocidad de memoria del reloj
    2666 MHz
    Forma de factor de memoria
    260-pin SO-DIMM
    Componente para
    Portátil
    ECC
    No
    Diseño de memoria (módulos x tamaño)
    2 x 8 GB
    1 Artículo