Kingston Technology FURY Impact módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4

Kingston FURY Impact DDR4 Memoria Capacidades de 8 GB, 16 GB y 32 GB a hasta 3200 MHz1

Equipe su portátil u otro aparato de pequeño factor de forma con Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM, y minimice el retardo del sistema. Preparado para AMD Ryzen™, y XMP Intel®, y homologado para XMP en capacidades de kit de hasta 64 GB, DDR4 FURY Impact incorpora la innovadora tecnología de sobreaceleración (overclocking) Plug N Play1 de Kingston, que acelera automáticamente la velocidad predeterminada de fábrica y los tiempos de latencia sin necesidad de cambiar ningún ajuste del BIOS. Diseñado para funcionar de manera eficiente y silenciosa a solamente 1,2 V, estos delgados módulos negros supondrán una inyección de dinamismo al rendimiento de su sistema.

SODIMM de potente rendimiento

Maximice su memoria y cargue de energía sus juegos, operaciones multitarea y renderización.

Función de overclocking automático Plug N Play1

Impact DDR4 ejecuta automáticamente un overclocking hasta la frecuencia más alta publicada.

Preparado para Intel® XMP y con homologación XMP

Diseñado para maximizar el rendimiento de nuestros módulos de memoria, nuestros ingenieros han predefinido los Perfiles de memoria extrema (XMP) de Intel para que alcancen velocidades de hasta 3200 MHz.

Preparado para AMD Ryzen™

Obtenga memoria preparada para AMD Ryzen que se integrará perfectamente con su sistema compatible con SODIMM basado en AMD. Un rendimiento fiable y compatible para disparar su sistema.

Mejor rendimiento con menor consumo eléctrico

Ejecute su sistema de manera eficiente, y sin que se recaliente, gracias al bajo consumo eléctrico (1,2 V) de los módulos Impact DDR4.

Delgado factor de forma, estilizado diseño

La PCB negra y la estilizada etiqueta térmica aportan elegancia a un pequeño tamaño.

Kingston Technology FURY Impact. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 20

Características
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
Memoria interna	16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	2 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Componente para	Portátil
Forma de factor de memoria	260-pin SO-DIMM
ECC	No
Latencia CAS	20
Rango de memoria de transferencia de datos	3200 MT/s
Clasificación de memoria	1
Voltaje de memoria	1.2 V
Configuración de módulos	1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila	45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila	350 ns
Tiempo activo en fila	26,25 ns
Intel® Extreme Memory Profile (XMP)	Si
Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile)	2.0
Programador de potencia de voltaje (VPP)	2,5 V
País de origen	China, Taiwán
Tipo de enfriamiento	Disipador térmico
Retroiluminación	No
Estándar JEDEC	Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje	-55 - 100 °C
Peso y dimensiones
Ancho	3,8 mm
Profundidad	69,6 mm
Altura	30 mm
Peso	15,2 g
Empaquetado
Ancho del paquete	95,3 mm
Profundidad del paquete	14 mm
Altura del paquete	171,5 mm
Peso del paquete	40,3 g
Datos logísticos
Ancho de la caja principal	203,2 mm
Longitud de la caja	311,2 mm
Alto de la caja principal	101,6 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)	84733020
Peso del envase completo	1,22 kg
Cantidad por caja	25 pieza(s)