Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC

Características
Factor de forma de disco SSD	M.2
SDD, capacidad	1 TB
Interfaz	PCI Express 4.0
Tipo de memoria	V-NAND MLC
NVMe	Si
Versión NVMe	2.0
Componente para	PC
Encriptación de hardware	Si
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Velocidad de lectura	7450 MB/s
Velocidad de escritura	6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)	1550000 IOPS
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Función DevSleep	Si
Soporte TRIM	Si
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación	3,3 V
Consumo de energía (max)	7,8 W
Consumo de energía (promedio)	5,4 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G
Peso y dimensiones
Ancho	80 mm
Profundidad	8,2 mm
Altura	24,3 mm
Peso	28 g